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十三水游戏平台30V N+P沟道场效应管 4606 SOP8
30V N+P沟道场效应管 4606 SOP8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:4606
产品封装:SOP-8
产品标题:SOP-8 塑封MOSFET 4606 互补增强模式MOS 30V N+P沟道场效应管
咨询热线:0769-89268116

产品详情


SOP-8 塑封MOSFET 4606 互补增强模式MOS 30V N+P沟道场效应管



4606的描述:

        4606是30V N+P沟道互补增强模式场效应管,封装形式为SOP-8,用于高功率DC/DC转换和功率开关,适用于作负载开关或脉宽调制应用。



4606的脚位图:

十三水游戏平台blob.png



4606的极限值:

参数符号数值单位
N-channelP-channel
漏极-源极电压VDSS±30
V
漏极-源极电压VGSS±20

漏极电流-连续

TA=25℃

ID6.9-6A

漏极电流-连续

TA=70℃

5.8-5
漏极电流-脉冲IDM±30

总耗散功率

TA=25℃

PD2W

总耗散功率

TA=70℃

1.44
结温和存储温度范围
TJ,TSTG-55~+150



4606的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS30

V

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V

IDSS

1μA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
栅极漏电流IGSS

100nA
栅极开启电压VGS(th)11.93V

静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=6.9A

RDS(ON)

22.528

静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=6.9A,TJ=125℃


31.338

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


34.542
正向跨导
gfs1015.4
S
输入电容
Ciss
680
pF
输出电容Coss
102
反向传输电容Crss
77
栅源电荷密度
Qgs
1.82
nC
栅漏电荷密度Qgd
3.2
开启延迟时间td(on)
4.6
ns
开启上升时间tr
4.1
关断延迟时间td(off)
20.6
开启下降时间tf
5.2


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