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十三水游戏平台60VN沟道场效应管 GM3N06 SOT-23
60VN沟道场效应管 GM3N06 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM3N06
产品封装:SOT-23
产品标题:60VN沟道场效应管 GM3N06 SOT-23 MOS晶体管 贴片MOSFET
咨询热线:0769-89268116

产品详情


60VN沟道场效应管 GM3N06 SOT-23 MOS晶体管 贴片MOSFET




GM3N06的极限值:

参数符号数值单位
漏极-源极电压BVDSS60V
栅极-源极电压VGS±20
漏极电流-连续IDR3A
漏极电流-脉冲IDRM10



GM3N06的热特性:

参数符号数值单位

总耗散功率

(环境温度为25℃)

PD1380mW

总耗散功率

(超过25℃递减)

3.8mW/℃
热阻RθJA90℃/W
结温和存储温度
TJ,TSTG150℃,-55~+150℃



GM3N06的电特性:

参数符号数值单位

漏极-源极击穿电压

BVDSS60V

栅极开启电压

VGS(th)1~3

内附二极管正向压降

VSD1.5

零栅压漏极电流

IDSS1uA

栅极漏电流

IGSS±100nA

静态漏源导通电阻

ID=3A,VGS=10V

RDS(ON)
90

静态漏源导通电阻

ID=2A,VGS=4.5V

120
输入电容CISS550pF
共源输出电容COSS125
开启时间t(on)40ns
关断时间t(off)80


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