您好!欢迎光临宇芯电子官方网站
当前位置: 首页 ? 产品中心 ? 宇芯微 ? MOS管 ? 中低压MOS管 ? 12VP沟道场效应管 GM2333 SOT-23

产品分类

Product Categories
十三水游戏平台12VP沟道场效应管 GM2333 SOT-23
12VP沟道场效应管 GM2333 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:GM2333
产品封装:SOT-23
产品标题:GM2333 SOT-23 12VP沟道场效应管 低压增强型MOSFET
咨询热线:0769-89268116

产品详情


GM2333 SOT-23 12VP沟道场效应管 低压增强型MOSFET



GM2333的极限值:

参数符号
数值单位
漏极-源极电压BVDSS-12V
栅极-源极电压VGS±8
漏极电流-连续
ID-5.1A
漏极电流-脉冲IDM-20
总耗散功率
PD1250mW
结温TJ150
存储温度TSTG-55~+150



GM2333的电特性:

参数符号最小值典型值最大值单位
漏极-源极击穿电压BVDSS-12

V
栅极开启电压VGS(th)-0.4
-1
内附二极管正向压降VSD

-1.2
零栅压漏极电流
IDSS

-1uA
栅极漏电流IGSS

±100nA

静态漏源导通电阻

ID=-5.1A,VGS=-4.5V

RDS(ON)
2835

静态漏源导通电阻

ID=-4.5A,VGS=-2.5V


3845

静态漏源导通电阻

ID=-2A,VGS=-1.8V


5059
输入电容CISS
920
pF
输出电容COSS
220
开启时间
t(on)
8
ns
关断时间t(off)
60
ns



GM2333的封装外形尺寸:

十三水游戏平台blob.png


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设